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热插拔控制器和功率MOSFET,哪个简单?
热插拔控制器和功率MOSFET,哪个简单?

热插拔电路使用一个功率MOSFET作为串联限流器件,并且控制启动涌入电流和故障电流。瞬变和故障事件发生期间,MOSFET的能耗会大于稳定状态下消耗的电能,并且会超过MOSFET的发热限值,所以设计人员必须确保MOSFET在其安全工作区(SOA)内运行。有很多不错的资源可以帮助设计人员选择一款合适的MOSFET来满足所有事件区域内的功率耗散要求。

表面上看起来简单的东西往往很复杂。就拿功率MOSFET来说吧,功率MOSFET只有三个引脚(栅极、源极、漏极),但是谁能想到看起来简单的功率MOSFET会那么复杂。如果为热插拔应用和功率转换分别选MOSFET,你会选哪一个?详细阅读>>

干货"title="干货" 干货

功率MOS场效应晶体管,即MOSFET,其原意是:MOS(Metal Oxide Semiconductor金属氧化物半导体),FET(Field Effect Transistor场效应晶体管),即以金属层(M)的栅极隔着氧化层(O)利用电场的效应来控制半导体(S)的场效应晶体管。

RF功率MOSFET产品及其工艺开发

RF功率MOSFET产品及其工艺开发

 

RF 功率 MOSFET的最大应用是无线通讯中的RF功率放大器。直到上世纪90年代中期,RF功率MOSFET还都是使用硅双极型晶体管或GaAs MOSFET。到90年代后期,的出现改变了这一状况。和硅双极型晶体管或GaAs MOSFET相比较,硅基LDMOSFET有失真小、线性度好、成本低的优点,成为目前RF 功率 MOSFET的主流技术。详细阅读>>

使用功率MOSFET封装技术解决计算应用的高功耗问题

使用功率MOSFET封装技术解决计算应用的高功耗问题

 

对于主板设计师来说,要设计处理器电压调节模块(VRM)来满足计算机处理器永无止境的功率需求实在是个大挑战。Pentium 4处理器要求VRM提供的电流提高了约3倍。英特尔将其VRM指标从8.4版本升级到9.0版本,涵盖了新的功率要求,以继续追随摩尔(Moore)定律。详细阅读>>

英飞凌联手Schweizer开发出新技术芯片嵌入式功率MOSFET

英飞凌联手Schweizer开发出新技术芯片嵌入式功率MOSFET

 

英飞凌科技股份公司联合Schweizer电子股份公司成功开发出面向轻度混合动力汽车的新技术:芯片嵌入式功率MOSFET。它将显著提升48 V系统的性能,同时降低它们的复杂度。大陆集团动力总成事业群将是首家采用这项技术的企业。详细阅读>>

Vishay推出汽车级p沟道TrenchFET功率MOSFET

Vishay推出汽车级p沟道TrenchFET功率MOSFET

 

Vishay推出新款30V和40V汽车级p沟道TrenchFET®功率MOSFET---SQJ407EP和SQJ409EP,采用鸥翼引线结构PowerPAK® SO-8L封装,有效提升板级可靠性。SQJ407EP和SQJ409EP通过AEC-Q101认证,占位面积比DPAK封装器件减小50%以上,节省PCB空间并降低成本,同时导通电阻低于任何鸥翼引线结构5mm x 6mm封装MOSFET。详细阅读>>

理解功率MOSFET的RDS(ON)温度系数特性

 

理解功率MOSFET的RDS(ON)温度系数特性

通常,许多资料和教材都认为,MOSFET的导通电阻具有正的温度系数,因此可以并联工作。当其中一个并联的MOSFET的温度上升时,具有正的温度系数导通电阻也增加,因此流过的电流减小,温度降低,从而实现自动的均流达到平衡。同样对于一个功率MOSFET器件,在其内部也是有许多小晶胞并联而成,晶胞的导通电阻具有正的温度系数,因此并联工作没有问题。详细阅读>>

12个大功率MOSFET基于逆变焊机的应用与评测

 

12个大功率MOSFET基于逆变焊机的应用与评测

逆变焊机的电路结构,一般是采用整流--逆变--再整流的过程,即交流--直流--交流.由于逆变过程中工作频率高,因此控制过程的动态特性统计局到提高,焊机的体积小,重量轻。详细阅读>>

经典案例 经典案例
功率MOSFET驱动器提供了车载照明保护与控制

功率MOSFET驱动器提供了车载照明保护与控制

 

一支白炽灯泡中钨丝的电阻可随着温度的变化产生超过 1:10 比率的变化。为了防止元件过热,以及长时间使用而造成的元件性能下降,一款具有可编程短路和过电流调节的电子开关就显得极为有用。一旦检测到有过电流情况发生,标准及自恢复 (re-settable) 保险丝就会中断负载电源,并且可能会用一个长短不定的时间来进行复位。与此不同的是,可以对一个电子开关进行编程来更具预见性地做出反应。详细阅读>>

精确测量功率MOSFET的导通电阻

精确测量功率MOSFET的导通电阻

 

电阻值的测量通常比较简单。但是,对于非常小阻值的测量,我们必须谨慎对待我们所做的假定。对于特定的几何形状,如电线,Kelvin方法是非常精确的。可以使用类似的方法来测量均匀样本的体电阻率和面电阻率,但是所使用的公式不同。在这些情况下,必须考虑探针间距和样本厚度。仅仅运用Kelvin法本身无法保证精度。如果布局和连接数发生变化,就很难精确地预测非均匀几何形状的电阻。详细阅读>>

各种开关电源功率MOSFET损坏的原因和形态

各种开关电源功率MOSFET损坏的原因和形态

 

工程师们将损坏的功率MOSFET送到半导体原厂做失效分析后,得到的结论通常是过电性应力EOS,却无法判断是什么原因导致MOSFET的损坏。功率MOSFET损坏有哪些原因和形态?一牛人拍下了功率MOSFET不同损坏形态的失效分析图片,结合功率MOSFET管的工作特性,系统的分析开关电源功率MOSFET各种损坏模式,还给出了测试过电流和过电压的电路图哦。详细阅读>>

近年来,功率MOSFET广泛地应用于电源、计算机及外设(软、硬盘驱动器、打印机、扫描器等)、消费类电子产品、通信装置、汽车电子及工业控制等领域。